Para la producción de células fotovoltaicas, la pureza del silicio puede ser intermedia entre el silicio de grado metalúrgico (MG-Si, 98%-99,9% de pureza) y el silicio de grado electrónico (>99,9999% de pureza). Este silicio, con una pureza intermedia y que sigue cumpliendo los requisitos de las células solares, se denomina silicio de grado metalúrgico mejorado (UMG-Si). Un método para producir UMG-Si es aplicar un proceso de solidificación controlado, como la solidificación unidireccional (método de intercambio de calor), la fusión por zonas (o el refinado por zonas) o el crecimiento Czochralski al MG-Si. Estos procesos utilizan la diferencia de solubilidad de las impurezas en el silicio sólido y líquido, conocida como coeficiente de distribución efectiva (K). Por estas razones, para estudiar el proceso de solidificación, es necesario determinar K para las impurezas de silicio, que es el objetivo de este estudio. El MG-Si (99,85% de pureza o 1500 ppm de impurezas) se procesó mediante una pasada de fusión por zonas a 1 mm/min utilizando un horno de haz de electrones con crisol de cobre refrigerado por agua. Se encontró que el coeficiente de distribución efectiva (K) para impurezas con Ko ≤ 10-1 sigue la relación K = 0,03 Ko-0,063. Para el boro, K = 0,8. Las impurezas con Ko entre 10-3 y 10-8 presentaron coeficientes de distribución efectivos similares (K = 0,07 ± 0,02), lo que significa que el coeficiente de distribución efectivo de una impureza específica depende de la cantidad total de impurezas. Los perfiles de impurezas medidos en el silicio se compararon con los obtenidos mediante las ecuaciones de Pfann utilizando los coeficientes de distribución efectiva y mostraron resultados comparativos.