Pour la production de cellules photovoltaïques, la pureté du silicium peut être intermédiaire entre le silicium de qualité métallurgique (MG-Si, 98%-99,9% de pureté) et le silicium de qualité électronique (>99,9999% de pureté). Ce silicium, dont la pureté est intermédiaire et qui répond toujours aux exigences des cellules solaires, est appelé silicium de qualité métallurgique améliorée (UMG-Si). L’une des méthodes de production du silicium UMG consiste à appliquer au MG-Si un processus de solidification contrôlé, tel que la solidification unidirectionnelle (méthode d’échange thermique), la fusion par zones (ou le raffinage par zones) ou la croissance de Czochralski. Ces procédés utilisent la différence de solubilité des impuretés dans le silicium solide et liquide, connue sous le nom de coefficient de distribution effectif (K). Pour ces raisons, pour étudier le processus de solidification, il est nécessaire de déterminer K pour les impuretés de silicium, ce qui est l’objectif de cette étude. Le MG-Si (pureté de 99,85% ou 1500 ppm d’impuretés) a été traité par 1 passage de fusion de zone à 1 mm/min en utilisant un four à faisceau d’électrons avec un creuset en cuivre refroidi à l’eau. Le coefficient de distribution effectif (K) pour les impuretés avec Ko ≤ 10-1 a été trouvé pour suivre la relation K = 0,03 Ko-0,063. Pour le bore, K = 0,8. Les impuretés dont le Ko est compris entre 10-3 et 10-8 ont présenté des coefficients de distribution effectifs similaires (K = 0,07 ± 0,02), ce qui signifie que le coefficient de distribution effectif d’une impureté spécifique dépend de la quantité totale d’impuretés. Les profils d’impuretés mesurés dans le silicium ont été comparés à ceux obtenus par les équations de Pfann en utilisant les coefficients de distribution effectifs et ont montré des résultats comparatifs.